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簡(jiǎn)要描述:Optodiode光電二極管:多元件和陣列探測(cè)器光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測(cè)器,以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢(shì)。
產(chǎn)品型號(hào): AXUVPS7
所屬分類(lèi):光電探測(cè)器陣列
更新時(shí)間:2024-12-17
OptoDiode多像元光電二極管是電子檢測(cè)理想的選擇,分段光電二極管光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm,存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C,在氮?dú)饣蛘婵帐?20°C至80°C,引線(xiàn)焊接溫度是260°C。
響應(yīng)性好,噪音低,OptoDiode多像元光電二極管
美國(guó)OptoDiode分段光電二極管有紅色增強(qiáng)型和紫外線(xiàn)增強(qiáng)型分段探測(cè)器,AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探測(cè)器存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C,在氮?dú)饣蛘婵帐?20°C至80°C,引線(xiàn)焊接溫度是260°C。超過(guò)這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長(zhǎng)。隨著時(shí)間的推移,對(duì)低能量輻射和波長(zhǎng)低于150納米的輻射的反應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080",持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子,以保護(hù)光電二極管和導(dǎo)線(xiàn)連接。在拆除蓋子之前,請(qǐng)查看OptoDiode,"IRD檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)"。美國(guó)OptoDiode分段探測(cè)器光子響應(yīng)性好,噪音低,是電子檢測(cè)的理想選擇。
OptoDiode分段光電二極管型號(hào)
常見(jiàn)的基板分段探測(cè)器是精確歸零或定心應(yīng)用的理想選擇,提供雙節(jié)電池或四節(jié)電池配置。
型號(hào)
零件編號(hào)
描述
有效面積mm2
AXUVPS7
ODD-AXU-096
四光二極管是電子檢測(cè)的理想選擇
36.5
ODD-3W-2
ODD-632-007
紅色增強(qiáng)型3.1mm2雙電池光電二極管
3
SXUVPS4
ODD-SXU-013
象限紫外線(xiàn)增強(qiáng)光電二極管
5
SXUVPS4C
ODD-SXU-023
象限紫外線(xiàn)增強(qiáng)光電二極管
5
ODD-3W-2分段光電二極管的特點(diǎn)
- 紅色增強(qiáng)型
- 低噪音
- 高響應(yīng)
- 高分流電阻
- 扁平的TO-5封裝
在VR=5 V測(cè)試條件下,暗電流典型值是0.9na,最大值是5na。VR=10 mV, 分流電阻的典型值是300歐姆。當(dāng)VR=0 V, f=1MHz,結(jié)點(diǎn)電阻是30pF,當(dāng)VR=10 V, f=1MHz時(shí)結(jié)點(diǎn)電阻是7.5pF。光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm。當(dāng)λ=633nm, VR=0V時(shí),反應(yīng)性最小值是0.32A/W,典型值是0.36A/W,當(dāng)λ=900nm, VR=0V時(shí),反應(yīng)性最小值是0.5A/W,典型值是0.6A/W。當(dāng)IR=10μA,擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。當(dāng)VR=0V, λ=950nm時(shí),噪聲等效功率2.5x10-14 W/√HZ。當(dāng)RL=50Ω, VR=0V,上升時(shí)間典型值為190納秒,當(dāng)RL=50Ω, VR=10V,上升時(shí)間典型值為8納秒。反向電壓100V。暗電流與電壓圖同AXUVPS7分段光電二極管相同。
存儲(chǔ)溫度為-55°C~150°C,工作溫度為-40°C~125°C,引線(xiàn)焊接溫度是260°C。
Opto Diode光電二極管陣列,電子檢測(cè)的理想選擇
Opto Diode提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的多元素或陣列探測(cè)器,以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點(diǎn)
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號(hào),采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝,是電子檢測(cè)的理想選擇。有保護(hù)性蓋板,以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線(xiàn)連接。波威Opto Diode光電探測(cè)器陣列可以在紫外、可見(jiàn)、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng),從典型的紫外-可見(jiàn)-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2,AXUV16ELG光電二極管陣列是16個(gè)元件光電二極管陣列,AXUV20ELG多元素陣列是20個(gè)元素的陣列。光電二極管陣列儲(chǔ)存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C,在氮?dú)夂驼婵障聹囟仁?20°C~80°C,引線(xiàn)焊接的溫度是260°C。超過(guò)這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長(zhǎng)。隨著時(shí)間的推移,對(duì)低能量輻射和150納米以下波長(zhǎng)的響應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080英寸,持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子,以保護(hù)Opto Diode光電探測(cè)器陣列和導(dǎo)線(xiàn)連接。在拆除蓋子之前,請(qǐng)查看應(yīng)用說(shuō)明 "AXUV、SXUV和UVG檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)"。
AXUV16ELG光電二極管陣列的特點(diǎn),
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板
在25°C時(shí)的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測(cè)試條件下,有效面積的典型值是10mm2。當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí),反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時(shí),電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測(cè)試條件下,上升時(shí)間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí),每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。
AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列的特點(diǎn)
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板3
AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列在0.75mmx4.1mm的測(cè)試條件下,有效面積的典型值是3mm2,靈敏度見(jiàn)圖,當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí),反向擊穿電壓典型值是25V,最小值是20V。VR=0V時(shí),電容,最大值是1nF。VR=0V測(cè)試條件下,上升時(shí)間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí),每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。
SXUVPS4C分段光電二極管
TO-5,5引腳封裝,SXUVPS4C分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2,在波長(zhǎng)254nm時(shí),響應(yīng)性是0.02A/W。VR=±18V,暗電流典型值是1nA,最大值是100nA。當(dāng)R=1µA時(shí),反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V,電容典型值是100pF,最大值是300Pf。VR=0V時(shí),上升時(shí)間典型值是1微秒。Vf=±10mV時(shí)分流電阻是100歐姆。電容與電壓是反比的關(guān)系,暗電流與電壓是正比的關(guān)系
AXUVPS7分段光電二極管的特點(diǎn)
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 圓形有效區(qū)域
AXUVPS7分段光電二極管在25°C時(shí)的電光特性,有效面積的典型值是36.5mm2。響應(yīng)性的最小值是0.07A/W,典型值是0.08A/W,最大值是0.09A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí),分流電阻最小值為10歐姆,當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí),反向擊穿電壓最小值是5V。VR=0V時(shí),電容的典型值是2nF,最大值是6nf。當(dāng)VR=2V, RL=50Ω,上升時(shí)間最大值是2微秒。
美國(guó)Optodiode光電二極管:多像元和陣列探測(cè)器
光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測(cè)器,以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢(shì)。
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光電二極管陣列是電子探測(cè)的理想選擇
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光電二極管陣列是電子探測(cè)的理想選擇
Optodiode光電二極管:電子、光子、X射線(xiàn)探測(cè)器(AXUV)
AXUV系列探測(cè)器的特點(diǎn)是對(duì)0.0124nm至190nm的光子、電子或X射線(xiàn)進(jìn)行高性能測(cè)量,并檢測(cè)100eV至50keV的能量。
型號(hào) 描述
AXUV100G ODD-AXU-010 Large Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20A ODD-AXU-026 Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV300C ODD-AXU-082 Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV576C ODD-AXU-048 Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection
AXUV100G ODD-AXU-010 大型光電二極管是輻射檢測(cè)的理想選擇
AXUV20A ODD-AXU-026 圓形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速環(huán)形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速環(huán)形光電二極管,輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 帶中心孔的高速圓形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
光電二極管:EUV增強(qiáng)型探測(cè)器(SXUV)
SXUV系列極紫外(EUV)增強(qiáng)型探測(cè)器具有好的13.5nm光刻能力,在1nm至190nm的極紫外曝光中具有穩(wěn)定的響應(yīng)度,是關(guān)鍵的EUV光測(cè)量的理想選擇。
SXUV100 ODD-SXU-001 Large EUV Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20HS1 ODD-SXU-004 High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044 Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)
SXUV5 ODD-SXU-008 High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)
SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光電探測(cè)器(1nm-190nm)
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪聲光電探測(cè)器(1nm-190nm)
SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光電探測(cè)器(1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封裝光電探測(cè)器(1nm-190nm)
SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光電探測(cè)器(1nm-90nm)
光電二極管:集成薄膜、封裝和濾光器組件
光電二極管生產(chǎn)集成薄膜濾波器,用于檢測(cè)太陽(yáng)EUV輻射、軟x射線(xiàn)輻射測(cè)量、x射線(xiàn)和EUV光刻、x射線(xiàn)顯微鏡和XUV光譜。我們還生產(chǎn)濾光窗、日光濾光器和多波長(zhǎng)封裝組件。
AXUV100TF030 ODD-AXU-019 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF400 ODD-AXU-002 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
SXUV100TF135 ODD-SXU-003 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉積薄膜濾光片光電二極管具有直接沉積薄膜濾光片
AXUV100TF400 ODD-AXU-002光電二極管
SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉積薄膜濾光片光電二極管